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SMSD1002T1G
- Modelo do Produto:
- SMSD1002T1G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN SOD123
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19379 Pieces
- Ficha de dados:
- SMSD1002T1G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SMSD1002T1G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SMSD1002T1G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | - |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | - |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | - |
| Série: | - |
| Power - Max: | - |
| Embalagem: | - |
| Caixa / Gabinete: | - |
| Temperatura de operação: | - |
| Tipo de montagem: | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 27 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SMSD1002T1G |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor NPN |
| Descrição: | TRANS NPN SOD123 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | - |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | - |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | - |
| Email: | [email protected] |
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