SMUN5116DW1T1G
SMUN5116DW1T1G
Modelo do Produto:
SMUN5116DW1T1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15044 Pieces
Ficha de dados:
SMUN5116DW1T1G.pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SMUN5116DW1T1G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SMUN5116DW1T1G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar SMUN5116DW1T1G com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
Série:-
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms):-
Resistor - Base (R1) (Ohms):4.7k
Power - Max:187mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:SMUN5116DW1T1G
Frequência - Transição:-
Descrição expandida:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Descrição:TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:160 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações