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SPB02N60C3ATMA1
- Modelo do Produto:
- SPB02N60C3ATMA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 12524 Pieces
- Ficha de dados:
- SPB02N60C3ATMA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SPB02N60C3ATMA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SPB02N60C3ATMA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 80µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO263-3-2 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 25W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | SP000013516 SPB02N60C3 SPB02N60C3INTR SPB02N60C3INTR-ND SPB02N60C3XT SPB02N60C3XT-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | SPB02N60C3ATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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