SPB80N03S2-03
SPB80N03S2-03
Modelo do Produto:
SPB80N03S2-03
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
12937 Pieces
Ficha de dados:
SPB80N03S2-03.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263-3-2
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.1 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:SP000016251
SPB80N03S203T
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SPB80N03S2-03
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7020pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:150nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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