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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SPI11N60C3XKSA1
SPI11N60C3XKSA1
SPI11N60C3XKSA1
Modelo do Produto:
SPI11N60C3XKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13652 Pieces
Ficha de dados:
SPI11N60C3XKSA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 500µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO262-3-1
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):125W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Outros nomes:SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:SPI11N60C3XKSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
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