SPP11N80C3XKSA1
SPP11N80C3XKSA1
Modelo do Produto:
SPP11N80C3XKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14784 Pieces
Ficha de dados:
SPP11N80C3XKSA1.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 680µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO220-3-1
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:450 mOhm @ 7.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):156W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:SP000683158
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3IN-ND
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3XTIN-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:6 Weeks
Número de peça do fabricante:SPP11N80C3XKSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 800V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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