SPP18P06P H
SPP18P06P H
Modelo do Produto:
SPP18P06P H
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19175 Pieces
Ficha de dados:
SPP18P06P H.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO-220-3
Série:SIPMOS®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:130 mOhm @ 13.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):81.1W (Ta)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:SP000446906
SPP18P06P G
SPP18P06P G-ND
SPP18P06PH
SPP18P06PHXKSA1
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SPP18P06P H
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:860pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 60V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18.7A (Ta)
Email:[email protected]

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