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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SPP20N60C3HKSA1
SPP20N60C3HKSA1
SPP20N60C3HKSA1
Modelo do Produto:
SPP20N60C3HKSA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12113 Pieces
Ficha de dados:
SPP20N60C3HKSA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO220-3-1
Série:CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:190 mOhm @ 13.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):208W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:SPP20N60C3
SPP20N60C3BKSA1
SPP20N60C3IN
SPP20N60C3X
SPP20N60C3XIN
SPP20N60C3XIN-ND
SPP20N60C3XK
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SPP20N60C3HKSA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:114nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20.7A (Tc)
Email:[email protected]

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