Comprar SPP80P06P H com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 5.5mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO220-3-1 |
Série: | SIPMOS® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 23 mOhm @ 64A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 340W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
Outros nomes: | SP000441774 SPP80P06P G SPP80P06P G-ND SPP80P06PH SPP80P06PHXKSA1 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
Número de peça do fabricante: | SPP80P06P H |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5033pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 173nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
Descrição: | MOSFET P-CH 60V 80A TO-220 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |