SQ2301ES-T1_GE3
Modelo do Produto:
SQ2301ES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13145 Pieces
Ficha de dados:
SQ2301ES-T1_GE3.pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SQ2301ES-T1_GE3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SQ2301ES-T1_GE3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar SQ2301ES-T1_GE3 com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-236 (SOT-23)
Série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):3W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:SQ2301ES-T1_GE3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TA)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:SQ2301ES-T1_GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:425pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:8nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.9A (Tc)
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações