Comprar SQ2361ES-T1_GE3 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 177 mOhm @ 2.4A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 2W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Outros nomes: | SQ2361ES-T1-GE3 SQ2361ES-T1_GE3-ND SQ2361ES-T1_GE3TR |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
Número de peça do fabricante: | SQ2361ES-T1_GE3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 30V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | P-Channel 60V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
Descrição: | MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |