SQD40N06-25L-GE3
SQD40N06-25L-GE3
Modelo do Produto:
SQD40N06-25L-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12071 Pieces
Ficha de dados:
SQD40N06-25L-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252, (D-Pak)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SQD40N06-25L-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 30A (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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