SQJ960EP-T1_GE3
SQJ960EP-T1_GE3
Modelo do Produto:
SQJ960EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 8A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12980 Pieces
Ficha de dados:
SQJ960EP-T1_GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SO-8 Dual
Série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:36 mOhm @ 5.3A, 10V
Power - Max:34W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SO-8 Dual
Outros nomes:SQJ960EP-T1-GE3
SQJ960EP-T1-GE3-ND
SQJ960EP-T1_GE3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:SQJ960EP-T1_GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:735pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET 2N-CH 60V 8A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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