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SQJ960EP-T1_GE3
- Modelo do Produto:
- SQJ960EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 60V 8A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12980 Pieces
- Ficha de dados:
- SQJ960EP-T1_GE3.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SQJ960EP-T1_GE3, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SQJ960EP-T1_GE3 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 36 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Power - Max: | 34W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Outros nomes: | SQJ960EP-T1-GE3 SQJ960EP-T1-GE3-ND SQJ960EP-T1_GE3TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SQJ960EP-T1_GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 735pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 60V 8A |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
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