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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SSM3K15AMFV,L3F
SSM3K15AMFV,L3F
SSM3K15AMFV,L3F
Modelo do Produto:
SSM3K15AMFV,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16145 Pieces
Ficha de dados:
SSM3K15AMFV,L3F.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:VESM
Série:U-MOSIII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipação de energia (Max):150mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Outros nomes:SSM3K15AMFV,L3F(A
SSM3K15AMFV,L3F(B
SSM3K15AMFV,L3F(D
SSM3K15AMFV,L3F(T
SSM3K15AMFVL3F
SSM3K15AMFVL3FTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM3K15AMFV,L3F
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13.5pF @ 3V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 0.1A U-MOS III
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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