SSM5G10TU(TE85L,F)
SSM5G10TU(TE85L,F)
Modelo do Produto:
SSM5G10TU(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16843 Pieces
Ficha de dados:
1.SSM5G10TU(TE85L,F).pdf2.SSM5G10TU(TE85L,F).pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:UFV
Série:U-MOSIII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:213 mOhm @ 1A, 4V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Outros nomes:SSM5G10TU(TE85LF)CT
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SSM5G10TU(TE85L,F)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:250pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:6.4nC @ 4V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Isolated)
Descrição expandida:P-Channel 20V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.5A (Ta)
Email:[email protected]

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