SSM5N16FUTE85LF
Modelo do Produto:
SSM5N16FUTE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19448 Pieces
Ficha de dados:
SSM5N16FUTE85LF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:USV
Série:π-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipação de energia (Max):200mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Outros nomes:SSM5N16FU(TE85L,F)
SSM5N16FUTE85LFTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM5N16FUTE85LF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9.3pF @ 3V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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