STB8NM60D
STB8NM60D
Modelo do Produto:
STB8NM60D
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
20208 Pieces
Ficha de dados:
STB8NM60D.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK
Série:MDmesh™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:497-5244-1
Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Número de peça do fabricante:STB8NM60D
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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