STD60N55F3
STD60N55F3
Modelo do Produto:
STD60N55F3
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19608 Pieces
Ficha de dados:
STD60N55F3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D-Pak
Série:STripFET™ III
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8.5 mOhm @ 32A, 10V
Dissipação de energia (Max):110W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:497-7972-2
STD60N55F3-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Número de peça do fabricante:STD60N55F3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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