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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > STGW35NB60SD
STGW35NB60SD
STGW35NB60SD
Modelo do Produto:
STGW35NB60SD
Fabricante:
ST
Descrição:
IGBT 600V 70A 200W TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
20196 Pieces
Ficha de dados:
STGW35NB60SD.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.7V @ 15V, 20A
Condição de teste:480V, 20A, 100 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:92ns/1.1µs
Alternando Energia:840µJ (on), 7.4mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-3
Série:PowerMESH™
Inversa de tempo de recuperação (trr):44ns
Power - Max:200W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:497-16202-5
STGW35NB60SD-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:20 Weeks
Número de peça do fabricante:STGW35NB60SD
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:83nC
Descrição expandida:IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247-3
Descrição:IGBT 600V 70A 200W TO247
Atual - Collector Pulsada (ICM):250A
Atual - Collector (Ic) (Max):70A
Email:[email protected]

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