Comprar STI34N65M5 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | I2PAKFP (TO-281) |
Série: | MDmesh™ V |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 110 mOhm @ 14A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 190W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Outros nomes: | 497-13439 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | STI34N65M5 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2700pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 62.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 650V 28A (Tc) 190W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
Descrição: | MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 28A (Tc) |
Email: | [email protected] |