STL3NM60N
STL3NM60N
Modelo do Produto:
STL3NM60N
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17700 Pieces
Ficha de dados:
STL3NM60N.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerFlat™ (3.3x3.3)
Série:MDmesh™ II
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.8 Ohm @ 1A, 10V
Dissipação de energia (Max):2W (Ta), 22W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:497-13351-2
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:STL3NM60N
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:188pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Email:[email protected]

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