STS3DNE60L
STS3DNE60L
Modelo do Produto:
STS3DNE60L
Fabricante:
ST
Descrição:
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17040 Pieces
Ficha de dados:
STS3DNE60L.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:STripFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:80 mOhm @ 1.5A, 10V
Power - Max:2W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Número de peça do fabricante:STS3DNE60L
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:815pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 2W Surface Mount 8-SO
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A
Email:[email protected]

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