SUD50N03-06AP-E3
SUD50N03-06AP-E3
Modelo do Produto:
SUD50N03-06AP-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13490 Pieces
Ficha de dados:
SUD50N03-06AP-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252, (D-Pak)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):10W (Ta), 83W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:SUD50N03-06AP-E3-ND
SUD50N03-06AP-E3TR
SUD50N0306APE3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Número de peça do fabricante:SUD50N03-06AP-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3800pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 90A (Tc) 10W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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