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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK10A60W,S4X
TK10A60W,S4X
TK10A60W,S4X
Modelo do Produto:
TK10A60W,S4X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12020 Pieces
Ficha de dados:
TK10A60W,S4X.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 500µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 4.9A, 10V
Dissipação de energia (Max):30W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:TK10A60WS4X
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:TK10A60W,S4X
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.7A (Ta)
Email:[email protected]

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