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TK14C65W,S1Q
- Modelo do Produto:
- TK14C65W,S1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19946 Pieces
- Ficha de dados:
- TK14C65W,S1Q.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TK14C65W,S1Q, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TK14C65W,S1Q por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 690µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | I2PAK |
| Série: | DTMOSIV |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 250 mOhm @ 6.9A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 130W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes: | TK14C65W,S1Q(S TK14C65W,S1Q(S2 TK14C65W,S1Q-ND TK14C65WS1Q |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TK14C65W,S1Q |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 300V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 13.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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