TK16N60W,S1VF
TK16N60W,S1VF
Modelo do Produto:
TK16N60W,S1VF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16194 Pieces
Ficha de dados:
TK16N60W,S1VF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 790µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:190 mOhm @ 7.9A, 10V
Dissipação de energia (Max):130W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:TK16N60W,S1VF(S
TK16N60WS1VF
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TK16N60W,S1VF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15.8A (Ta)
Email:[email protected]

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