TK20A25D,S5Q(M
TK20A25D,S5Q(M
Modelo do Produto:
TK20A25D,S5Q(M
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17112 Pieces
Ficha de dados:
1.TK20A25D,S5Q(M.pdf2.TK20A25D,S5Q(M.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220SIS
Série:π-MOSVII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):45W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:TK20A25D(Q)
TK20A25D(Q)-ND
TK20A25DQ
TK20A25DS5Q(M
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TK20A25D,S5Q(M
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2550pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 250V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Escorra a tensão de fonte (Vdss):250V
Descrição:MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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