TK25A60X5,S5X
TK25A60X5,S5X
Modelo do Produto:
TK25A60X5,S5X
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12600 Pieces
Ficha de dados:
TK25A60X5,S5X.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220SIS
Série:DTMOSIV-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:140 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):45W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Outros nomes:TK25A60X5,S5X(M
TK25A60X5S5X
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:TK25A60X5,S5X
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:60nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 25A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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