TK30S06K3L(T6L1,NQ
Modelo do Produto:
TK30S06K3L(T6L1,NQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19857 Pieces
Ficha de dados:
1.TK30S06K3L(T6L1,NQ.pdf2.TK30S06K3L(T6L1,NQ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK+
Série:U-MOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 Ohm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max):58W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:TK30S06K3L(T6L1NQ
TK30S06K3LT6L1NQ
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TK30S06K3L(T6L1,NQ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 30A (Ta) 58W (Tc) Surface Mount DPAK+
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:30A (Ta)
Email:[email protected]

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