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TK31V60W5,LVQ
- Modelo do Produto:
- TK31V60W5,LVQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17534 Pieces
- Ficha de dados:
- TK31V60W5,LVQ.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TK31V60W5,LVQ, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TK31V60W5,LVQ por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Série: | DTMOSIV |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 109 mOhm @ 15.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 240W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 4-VSFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5LVQTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TK31V60W5,LVQ |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 300V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 30.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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