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TK39J60W,S1VQ
- Modelo do Produto:
- TK39J60W,S1VQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18729 Pieces
- Ficha de dados:
- TK39J60W,S1VQ.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TK39J60W,S1VQ, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TK39J60W,S1VQ por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 1.9mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-3P(N) |
| Série: | DTMOSIV |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 65 mOhm @ 19.4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 270W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Outros nomes: | TK39J60W,S1VQ(O TK39J60WS1VQ |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TK39J60W,S1VQ |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4100pF @ 300V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Super Junction |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 38.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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