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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK3A65DA(STA4,QM)
TK3A65DA(STA4,QM)
TK3A65DA(STA4,QM)
Modelo do Produto:
TK3A65DA(STA4,QM)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19923 Pieces
Ficha de dados:
1.TK3A65DA(STA4,QM).pdf2.TK3A65DA(STA4,QM).pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.4V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220SIS
Série:π-MOSVII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.51 Ohm @ 1.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):35W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:TK3A65DA(STA4QM)
TK3A65DASTA4QM
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TK3A65DA(STA4,QM)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 2.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

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