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TK40P04M1(T6RSS-Q)
- Modelo do Produto:
- TK40P04M1(T6RSS-Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17263 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.TK40P04M1(T6RSS-Q).pdf2.TK40P04M1(T6RSS-Q).pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DP |
| Série: | U-MOSVI-H |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 11 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 47W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | TK40P04M1(T6RSS-Q) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1920pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 40V 40A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 40V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 40A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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