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TK50P04M1(T6RSS-Q)
- Modelo do Produto:
- TK50P04M1(T6RSS-Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18186 Pieces
- Ficha de dados:
- TK50P04M1(T6RSS-Q).pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TK50P04M1(T6RSS-Q), temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TK50P04M1(T6RSS-Q) por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 500µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DP |
| Série: | U-MOSVI-H |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8.7 mOhm @ 25A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 60W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | TK50P04M1(T6RSSQ)TR TK50P04M1T6RSSQ |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TK50P04M1(T6RSS-Q) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 40V 50A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DP |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 40V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 50A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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