TK5P60W,RVQ
TK5P60W,RVQ
Modelo do Produto:
TK5P60W,RVQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16221 Pieces
Ficha de dados:
TK5P60W,RVQ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 270µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK
Série:DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:900 mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):60W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:TK5P60W,RVQ(S
TK5P60WRVQTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TK5P60W,RVQ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:380pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:10.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 600V 5.4A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.4A (Ta)
Email:[email protected]

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