TK65S04N1L,LQ
TK65S04N1L,LQ
Modelo do Produto:
TK65S04N1L,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18938 Pieces
Ficha de dados:
TK65S04N1L,LQ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 300µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DPAK+
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.3 mOhm @ 32.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):107W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:TK65S04N1L,LQ(O
TK65S04N1LLQTR
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TK65S04N1L,LQ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2550pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 65A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount DPAK+
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:65A (Ta)
Email:[email protected]

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