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TK80S06K3L(T6L1,NQ
- Modelo do Produto:
- TK80S06K3L(T6L1,NQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12220 Pieces
- Ficha de dados:
- TK80S06K3L(T6L1,NQ.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TK80S06K3L(T6L1,NQ, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TK80S06K3L(T6L1,NQ por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DPAK+ |
| Série: | U-MOSIV |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 5.5 mOhm @ 40A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 100W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | TK80S06K3L(T6L1NQ TK80S06K3LT6L1NQ |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TK80S06K3L(T6L1,NQ |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 85nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 60V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 80A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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