TPCA8A01-H(TE12L,Q
Modelo do Produto:
TPCA8A01-H(TE12L,Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13349 Pieces
Ficha de dados:
1.TPCA8A01-H(TE12L,Q.pdf2.TPCA8A01-H(TE12L,Q.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.6 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta), 45W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TPCA8A01-H(TE12L,Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1970pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 36A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:36A (Ta)
Email:[email protected]

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