TPCC8005-H(TE12LQM
Modelo do Produto:
TPCC8005-H(TE12LQM
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14757 Pieces
Ficha de dados:
1.TPCC8005-H(TE12LQM.pdf2.TPCC8005-H(TE12LQM.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 500µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSON
Série:U-MOSVI-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.4 mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta), 30W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-VDFN Exposed Pad
Outros nomes:TPCC8005-H(TE12LQMTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TPCC8005-H(TE12LQM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2900pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 26A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:26A (Ta)
Email:[email protected]

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