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TPCF8102(TE85L,F,M
- Modelo do Produto:
- TPCF8102(TE85L,F,M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 17006 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.TPCF8102(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8102(TE85L,F,M.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | VS-8 (2.9x1.9) |
| Série: | U-MOSIII |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 30 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 700mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SMD, Flat Lead |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | TPCF8102(TE85L,F,M |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1550pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 20V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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