TPCP8003-H(TE85L,F
Modelo do Produto:
TPCP8003-H(TE85L,F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17230 Pieces
Ficha de dados:
1.TPCP8003-H(TE85L,F.pdf2.TPCP8003-H(TE85L,F.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PS-8
Série:U-MOSIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 1.1A, 10V
Dissipação de energia (Max):840mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TPCP8003-H(TE85L,F
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:360pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 2.2A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.2A (Ta)
Email:[email protected]

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