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TPD3215M
- Modelo do Produto:
- TPD3215M
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrição:
- CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16332 Pieces
- Ficha de dados:
- TPD3215M.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TPD3215M, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TPD3215M por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Module |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 34 mOhm @ 30A, 8V |
| Power - Max: | 470W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Module |
| Outros nomes: | TPH3215M TPH3215M-ND |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TPD3215M |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2260pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 8V |
| Tipo FET: | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
| Característica FET: | Standard |
| Descrição expandida: | Mosfet Array GaNFET N-Channel, Gallium Nitride 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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