TPH3R003PL,LQ
Modelo do Produto:
TPH3R003PL,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19881 Pieces
Ficha de dados:
TPH3R003PL,LQ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.1V @ 300µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
Série:U-MOSIX-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4.2 mOhm @ 44A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):90W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPH3R003PL,LQ(S
TPH3R003PLLQ
TPH3R003PLLQTR
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TPH3R003PL,LQ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3825pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 88A 90W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:88A
Email:[email protected]

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