TPH4R008NH,L1Q
TPH4R008NH,L1Q
Modelo do Produto:
TPH4R008NH,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13336 Pieces
Ficha de dados:
TPH4R008NH,L1Q.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta), 78W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPH4R008NH,L1Q(M
TPH4R008NHL1QTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TPH4R008NH,L1Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5300pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:59nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 80V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição:MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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