TPH6R003NL,LQ
TPH6R003NL,LQ
Modelo do Produto:
TPH6R003NL,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17545 Pieces
Ficha de dados:
TPH6R003NL,LQ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 200µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6 mOhm @ 19A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta), 34W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPH6R003NL,LQ(S
TPH6R003NLLQTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TPH6R003NL,LQ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 38A (Tc) 1.6W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

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