TPN3300ANH,LQ
TPN3300ANH,LQ
Modelo do Produto:
TPN3300ANH,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14650 Pieces
Ficha de dados:
TPN3300ANH,LQ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série:U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 4.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta), 27W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPN3300ANH,LQ(S
TPN3300ANHLQ
TPN3300ANHLQTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TPN3300ANH,LQ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:880pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 9.4A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.4A (Tc)
Email:[email protected]

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