TPN3R704PL,L1Q
Modelo do Produto:
TPN3R704PL,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13318 Pieces
Ficha de dados:
TPN3R704PL,L1Q.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 0.2mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série:U-MOSIX-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.7 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max):630mW (Ta), 86W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPN3R704PL,L1Q(M
TPN3R704PLL1QTR
Temperatura de operação:175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:TPN3R704PL,L1Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:27nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 80A (Tc) 630mW (Ta), 86W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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