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TPN7R506NH,L1Q
- Modelo do Produto:
- TPN7R506NH,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18025 Pieces
- Ficha de dados:
- TPN7R506NH,L1Q.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TPN7R506NH,L1Q, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TPN7R506NH,L1Q por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Série: | U-MOSVIII-H |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 7.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
| Outros nomes: | TPN7R506NH,L1Q(M TPN7R506NHL1QTR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TPN7R506NH,L1Q |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 30V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 60V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 6.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 26A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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