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TPW1R306PL,L1Q
- Modelo do Produto:
- TPW1R306PL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19393 Pieces
- Ficha de dados:
- TPW1R306PL,L1Q.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TPW1R306PL,L1Q, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TPW1R306PL,L1Q por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Vgs (Max): | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-DSOP Advance |
| Série: | U-MOSIX-H |
| Dissipação de energia (Max): | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-PowerWDFN |
| Outros nomes: | TPW1R306PL,L1Q(M TPW1R306PLL1QTR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TPW1R306PL,L1Q |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 60V 260A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 260A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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