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TRS12E65C,S1Q
- Modelo do Produto:
- TRS12E65C,S1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19170 Pieces
- Ficha de dados:
- TRS12E65C,S1Q.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TRS12E65C,S1Q, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TRS12E65C,S1Q por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.7V @ 12A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 650V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220-2L |
| Velocidade: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 0ns |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-2 |
| Outros nomes: | TRS12E65C,S1Q(S TRS12E65CS1Q |
| Temperatura de Operação - Junção: | 175°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TRS12E65C,S1Q |
| Descrição expandida: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| Tipo Diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 90µA @ 170V |
| Atual - rectificada média (Io): | 12A (DC) |
| Capacitância @ Vr, F: | 65pF @ 650V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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